Syscom Transistor MOSFET Canal-N / 200 V / 18 A IRF-640
Existencia: 56 piezas
Descripción
Descripción
Detalle del producto
Transistor MOSFET de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y control de potencia en equipos electrónicos industriales. Soporta tensiones de operación de hasta 200 V con capacidad de corriente continua de 18 A, permitiendo su uso en fuentes de alimentación conmutadas, inversores y controladores de motores. La disipación
¿Por qué elegir el IRF-640?
Conmutación de alta velocidad para circuitos de potencia eficientes. Calidad comprobada para uso diario y proyectos profesionales.
Puntos destacados
Casos de uso recomendados
Industrias recomendadas
Beneficios clave
- ✔Conmutación de alta velocidad para circuitos de potencia eficientes
- ✔Disipación térmica de 125 W para aplicaciones de alta carga
- ✔Encapsulado TO-220AB compatible con disipadores estándar
- ✔Operación confiable en rangos de 200 V para equipos industriales
- ✔Baja resistencia de canal para reducción de pérdidas energéticas
Preguntas frecuentes
¿Cuál es la característica principal del IRF-640?+
¿Qué marca es el IRF-640?+
¿Cuál es el peso del IRF-640?+
¿Tiene ficha técnica disponible?+
Distribuidor autorizado
Tiendas oficiales
Explora las marcas que distribuimos de forma oficial y entra a su tienda dedicada.
Una marca global segura
Descubre los productos panduit
La marca con mayor seguridad
Te rinde más todo
La calidad en una marca
Tecnología de punta
El mejor almacenamiento
Descuentos de susto 👻
Distribuidor autorizado
Las mejores marcas tech
Explora las marcas que distribuimos de forma oficial y entra a su tienda dedicada.

























